Výrobca Číslo produktu:
TSM900N06CH X0G
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM900N06CH X0G-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventár:
48855 Ks Nové Originálne Na Sklade
12899864
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM900N06CH X0G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
90mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
500 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
25W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-251 (IPAK)
Balenie / puzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Základné číslo produktu
TSM900
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
75
Iné mená
TSM900N06CH X0G-DG
TSM900N06CHX0G
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMG6968U-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
TSM055N03EPQ56 RLG
MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
MMBF170Q-7-F
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
